Przedmiotem zamówienia jest dostawa podzespołów półprzewodnikowych w postaci mostków diodowych, modułów tranzystorowych IGBT, sterowników bramkowych dla tranzystorów IGBT, nadajników i odbiorników światłowodowych oraz kondensatorów odsprzęgających zgodnych z opisem przedmiotu zamówienia zawartym w rozdziale 2 SIWZ. Przedmiot zamówienia składa się z 11 niezależnych od siebie części
OpisMostek diodowy trójfazowy 240A/1800V, elektroizolowany, napięcie przewodzenia nie więcej niż 1.5V na zaciskach, obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 55mm x 95mm x 35mmModuł dwutranzystorowy IGBT 450A/1200V, elektroizolowany, napięcie nasycenia nie więcej niż 2.5V na zaciskach, czas załączania (tON) nie więcej niż 0,6µs (dla 600V/450A), czas wyłączania (tOFF) nie więcej niż 0,8µs (dla 600V/450A), obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 110mm x 65mm x 35mmModuł dwutranzystorowy IGBT 600A/1200V, elektroizolowany, napięcie nasycenia nie więcej niż 2.5V na zaciskach, czas załączania (tON) nie więcej niż 0,6µs (dla 600V/600A), czas wyłączania (tOFF) nie więcej niż 0,8µs (dla 600V/600A), obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 115mm x 85mm x 35mmModuł dwutranzystorowy IGBT 200A/1700V, elektroizolowany, napięcie nasycenia nie więcej niż 2.8V na zaciskach, czas załączania (tON) nie więcej niż 0,7µs (dla 900V/200A), czas wyłączania (tOFF) nie więcej niż 0,6µs (dla 900V/200A), obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 110mm x 65mm x 35mmSterownik bramkowy o strukturze dwukanałowej dla tranzystorów IGBT o napięciu kolektorowym do 1700V z dynamiczną ochroną przeciwzwarciową i własnym obwodem zasilania, napięcie próby izolacji pomiędzy wejściem a wyjściem nie mniej niż 4kVAC, częstotliwość pracy nie mniej niż 50kHz, znamionowe napięcie zasilania 15V, dopuszczalna stromość napięcia na izolacji nie mniej niż 45kV/µs, prąd wyjściowy nie mniej niż 12A, blokada podnapięciowaKondensator elektrolityczny aluminiowy 3.3mF/450V, montaż pionowy, zastępcza rezystancja szeregowa dla częstotliwości 100Hz w temperaturze 20°C nie więcej niż 40 mega omów, obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów śr. 80mm x 110mmKondensator polipropylenowy metalizowany 1.5uF/1200VDC, zastępcza rezystancja szeregowa dla częstotliwości 100kHz nie więcej niż 4mega omy, obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 60mm x 50mm x 40mmKondensator polipropylenowy metalizowany 2.5uF/1200VDC, zastępcza rezystancja szeregowa dla częstotliwości 100kHz nie więcej niż 4mega omy, obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 60mm x 50mm x 40mmKondensator polipropylenowy 750uF/900VDC, zastępcza rezystancja szeregowa nie więcej niż 0.3mega oma, obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 220mm x 180mm x 80mmNadajnik światłowodowy szerokopasmowy, moc optyczna przy prądzie 20mA z włóknem o średnicy 1mm i długości 0.5m nie mniej niż -7dBm, długość fali świetlnej 650nm, obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 20mm x 15mm x 12mmOdbiornik światłowodowy szerokopasmowy, czułość przy współpracy z włóknem o średnicy 1mm nie mniej niż 3.9mV/µW, elektryczne pasmo przenoszenia (-3dB) nie mniej niż 65MHz, typowa długość fali świetlnej 650nm, obrys zewnętrzny nie przekraczający wymiarów 20mm x 15mm x 12mm |
